Name: Diodes Incorporated DMN6068LK3-13-52
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN6068LK3-13-52
Price: 0.3003 USD
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Diodes Incorporated DMN6068LK3-13-52

Artikelnummer:

DMN6068LK3-13-52

Hersteller / Marke:

Diodes Incorporated

Teil der Beschreibung.:

MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R

Datenblätte:

1.DMN6068LK3-13-5.pdf ···: 2D -Zeichnungen
DMN6068LK3.pdf

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Lead free / RoHs compliant

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Spezifikationen
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Versandinformationen
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~~Diodes Incorporated DMN6068LK3-13-52 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments DMN6068LK3-13-52.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-252, (D-Pak)
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	68mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (max)	2.12W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket	Bulk
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	502 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.3 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6A (Ta)
Grundproduktnummer	DMN6068

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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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